Акчурин Рауф Хамзинович

Дата рождения: 10 февраля 1945 г.

Образование: Высшее

Ученая степень, ученое звание: Доктор технических наук, профессор.

Профессиональная деятельность, область научных интересов:

• Преподавание в ВУЗе, научные исследования

• Материаловедение и технология полупроводниковых материалов

Избранные статьи, выступления, монографии с указанием общего числа публикаций:

Общее количество публикаций – более 230, в т.ч.:

• Монографии (В. Б. Уфимцев, Р. Х. Акчурин «Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии», М., Металлургия, 1983 г., 222 с.; «Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями» (коллективная монография под ред. В. И. Фистуля), М., Металлургия, 1987 г. 232 с.; П. И. Федоров, Р. Х. Акчурин «Индий» М., Наука, 2000 г. 276 с. (переведена в КНР в 2005 г.)).

• Обзоры (Р. Х. Акчурин «MOС-гидpиднaя эпитaкcия: coвpeмeннoe cocтoяние и ocнoвныe тeндeнции paзвития», Изв. BУЗoв, cep. Maтepиaлы элeктpoннoй тexники, 1999, №2; Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк «Hитpид гaллия - пepcпeктивный мaтepиaл coвpeмeннoй элeктpoники. Чacти I-III, Maтepиaлoвeдeниe, 1999, №9, 2001, №9 и 10).

• Учебные пособия (Р. Х. Акчурин «Низкоразмерные полупроводниковые гетероструктуры» М., МИТХТ, 2004.; Акчурин Р. Х. «Солнечная энергетика: современное состояние и перспективы развития», М., МИТХТ им. М. В. Ломоносова, 2011.; Акчурин Р. Х. «Широкозонные полупроводники: SiC, GaN». М., МИТХТ им. М. В. Ломоносова, 2011).

Место работы: МИТХТ им. М.В. Ломоносова