Journals →  Цветные металлы →  2012 →  #7 →  Back

Магний, титан, редкие металлы, полупроводники
ArticleName Влияние давления на соотношение трихлорсилана и тетрахлорида кремния в парогазовой смеси, образующейся в процессе прямого синтеза трихлорсилана
ArticleAuthor Аркадьев А. А., Назаров Ю. Н., Кох А. А.,Чапыгин А. М., Новиков А. В.
ArticleAuthorData

ОАО «Гиредмет», г. Москва:

А. А. Аркадьев, ведущий научный сотрудник, е-mail: aaa560804@yandex.ru

Ю. Н. Назаров, зав. лабораторией
А. А. Кох, ведущий науч. сотр.

А. М. Чапыгин, ведущий науч. сотр.

А. В. Новиков, науч. сотр.

Abstract

Приведены описание и результаты исследований в области технологии получения трихлорсилана, являющегося сырьем для производства поликристаллического кремния. Проведенные исследования влияния давления на соотношение трихлорсилана и тетрахлорида кремния в синтезируемой парогазовой смеси направлены на решение проблемы повышения единичной производительности реакторов прямого синтеза трихлорсилана в псевдоожиженном слое. При проведении процесса синтеза трихлорсилана в реакторе псевдоожиженного слоя был обеспечен заданный узкий температурный интервал в зоне реакции за счет эффективного теплосъема с поверхности реактора водяным пароконденсатом (была усовершенствована лабораторная установка гидpохлоpиpования кpемния в pеактоpе псевдоожиженного слоя, а именно ее система охлаждения, применен предстартовый нагрев кремния горячим азотом) и было минимизировано количество влаги, вводимой в реактор вместе с реагентами, для чего использовали реагенты с жесткими требованиями по содержанию влаги. Установлено, что при увеличении давления в интервале 0,18–0,40 МПа происходит резкое увеличение содержания трихлорсилана в синтезируемой парогазовой смеси, объясняемое улучшением структуры псевдоожиженного слоя: созданием более равномерного «кипения» слоя кремния, уменьшением вероятности возникновения застойных зон и, следовательно, снижением вероятности образования местных перегревов в реакционном пространстве реактора, возникновение которых благоприятствовало прохождению побочной реакции с образованием тетрахлорида кремния; в интервале 0,40–1,97 МПа содержание трихлорсилана в парогазовой смеси увеличилось незначительно, что свидетельствовало о том, что в данном интервале давлений структура псевдоожиженного слоя уже не претерпевает существенных изменений. В работе было определено оптимальное давление, при котором стало возможным повысить содержание трихлорсилана в парогазовой смеси, синтезируемой при гидpохлоpиpовании кpисталлического кpемния в pеактоpе псевдоожиженного слоя, и тем самым увеличить его единичную производительность: наиболее целесообразно осуществлять синтез трихлорсилана при давлении 0,4 МПа.

keywords Трихлорсилан, реактор псевдоожиженного слоя, гидрохлорирование, кремний, поликристаллический кремний, тетрахлорид кремния, давление, парогазовая смесь
References

1. Пат. 2280010 РФ. Способ получения трихлорсилана / Елютин А. В., Назаров Ю. H., Чапыгин А. М. ; опубл. 20.07.2006.
2. Pat. 011971 EA, МПК С 01 В 33/027, С 01 В 33/03. Способ получения поликристаллического кремния / Иванов Л. С., Пархоменко Ю. Н., Елютин А. В. и др. ; опубл. 30.06.2009.
3. Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф. и др. Технология полупроводникового кремния. — М. : Металлургия, 1992. — 408 с.
4. Hesse K., Patzold U. Survey over the TCS process // Proc. Silicon for the Chemical Industry VIII. 2006. Р. 157–166.
5. Kroupa M. G. High Boiling Residue Recovery Process for the Synthesis of Trichlorosilane // Proc. Silicon for the Chemical Industry VI. 2002. Р. 201–207.
6. Pat. 1991501 ЕР, 102006009954 DE. Wiederverwertung von hochsiedenden Verbindungen innerhalb eines Chlorsilanverbunds / Fabry L., Stepp M., Patzold U. ; September 9, 2007.
7. Назаpов Ю. Н., Аpкадьев А. А., Стаpобина Т. М. и дp. Оценка максимальной пpоизводительности pеактоpа кипящего слоя для синтеза тpихлоpсилана // Хлоpная металлуpгия pедких металлов, титана и кpемния : сб. Научные труды Гиредмета, 1986. Т. 137, N 232. С. 13–15.
8. А. с. 1239983 СССР. Способ получения тpихлоpсилана и четыpех хлоpистого кpемния / П. А. Данов, Ю. Н. Назаpов, В. С. Мало россиянов и др. ; заявл. 06.01.1986 ; опубл. 10.08.1999.
9. Аркадьев А. А., Кох А. А., Чапыгин А. М. и др. Определение оптимального давления хлористого водорода при гидрохлорировании кристаллического кремния // Цветные металлы. 2008. № 5. С. 42–43.
10. Чапыгин А. М., Кожемякин В. А., Петрова И. Ю. и др. Исследование физико-механических свойств порошков и пыли кремния // Гиредмет-80 : юб. сб. 2011. С. 186–188.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back