Проведены расчеты диффузионных профилей фосфора в германии для различных моделей, в том числе учитывающих влияние многозарядных вакансий и полевых эффектов. Результаты расчетов диффузионных профилей сопоставлены с экспериментальными значениями глубины залегания p—n-перехода в однокаскадном солнечном элементе на основе структуры InGaP/Ge. Показано, что существующие модели можно использовать для данного типа структур только как оценочные, для более точных расчетов диффузионных профилей необходимо уточнение диффузионной модели фосфора в германии применительно к условиям создания гетероструктуры.

Работа проведена при поддержке ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы.

1. Минтаиров, С. А. Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов / С. А. Минтаиров, В. М. Андреев, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, Н. К. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Лантратов // ФТП. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1118—1123.
2. Karm, N. H. Future technology pathways of terrestrial III—V multijunction solar cells for concentrator photovoltaic systems / N. H. Karm // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2010. - V. 94, Iss. 8. - P. 1314—1318.
3. Janke, C. Ab initio investigation of phosphorus diffusion paths in germanium / C. Janke, R. Jones, S. Öberg, P. R. Briddon // Physical Rev. B. - 2008. - V. 77. - P. 195210.
4. Brotzmann, S. Intrinsic and extrinsic diffusion of phosphorus, arsenic and antimony in germanium / S. Brotzmann, H. Bracht // J. Appl. Phys. - 2008. - V. 103. - P. 033508.
5. Bracht, H. Diffusion and doping issues in germanium / H. Bracht, S. Schneider, R. Kube // Microelectronic Engi. - 2010. - V. 88, Iss. 4. - P. 452—457.
6. Canneaux, T. Modeling of phosphorus diffusion in Ge accounting for a cubic dependence of the diffusivity with the electron concentration / T. Canneaux, D. Mathiot, J. -P. Ponpon, Y. Leroy // Thin Solid Films. - 2010. - V. 518. - P. 2394—2397.
7. Маллер, Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс - М. : Мир, 1989. - 630 с.
8. Болтакс, Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс - Л. : Наука, 1972. - 384 с.
9. МОП-СБИС: Моделирование элементов и технологических процессов / Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема. - М. : Радио и связь, 1988. - 496 с.
10. Самарский, А. А. Введение в численные методы / А. А. Самарский. - СПб. : Лань, 2005.