• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #4 →  Back

Общие вопросы
ArticleName Программный комплекс для анализа и расчета образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
ArticleAuthor Таланин В. И., Таланин И. Е., Устименко Н. Ф.
ArticleAuthorData В. И. Таланин, И. Е. Таланин, Н. Ф. Устименко, Классический приватный университет, Украина.
Abstract
В качестве виртуального экспериментального прибора для анализа и расчета образования ростовых микродефектов в нелегированных бездислокационных монокристаллах кремния предложен программный комплекс. С помощью программного комплекса, используя параметры роста (скорость роста кристалла, диаметр кристалла, температурные градиенты, скорость охлаждения), можно рассчитать характеристики процесса преципитации кислорода и углерода во время охлаждения кристалла после выращивания от температуры кристаллизации до комнатной температуры. Программный комплекс позволяет проводить анализ и расчет образования вакансионных микропор и меж узельных дислокационных петель.
keywords Кремний, ростовые микродефекты, скорость роста кристалла, осевой температурный градиент, диффузионная модель, преципитат, вакансионная микропора, межузельная дислокационная петля.
References

1. Talanin, V. I. Formation of grown−in microdefects in dislocation−free silicon monocrystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // New research on semiconductors. − N. Y. : Nova Sci. Publ. Inc., 2006. − P. 31—67.
2. Prostomolotov, A. I. Simplistic approach for 2D grown−in microdefects modeling / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, N 8. − P. 1878—1881.
3. Kulkarni, M. S. Quantification of defect dynamics in unsteady−state and steady−state Czochralski growth of monocrystalline silicon / M. S. Kulkarni, V. Voronkov, R. Falster // J. Electrochem. Soc. − 2004. − V. 151, N 5. − P. G663—G669.
4. Talanin, V. I. Kinetics of high−temperature precipitation in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2010. − V. 52, N 10. − P. 2063—2068.
5. Kulkarni, M. S. Simplified two−dimensional quantification of the microdefect distributions in silicon crystals grown by the Czochralski process / M. S. Kulkarni, V. V. Voronkov // High purity silicon VIII. − N. Y. : Electr. Soc., 2004. − P. 71—95.
6. Talanin, V. I. Modeling of defect formation processes in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Crystallography Rep. − 2010. − V. 55, N 4. − P. 632—637.
7. Talanin, V. I. On the recombination of intrinsic point defects in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2007. − V. 49, N 3. − P. 467—470.
8. Talanin, V. I. Mechanism of formation and physical classification of the grown−in microdefects in semiconductor silicon / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Defect and diffusion forum. − 2004. − V. 230—232, N 1. − P. 177—198.
9. Voronkov, V. V. Nucleation of oxide precipitates in vacancy containing silicon / V. V. Voronkov, R. J. Falster // J. Appl. Phys. − 2002. − V. 91, N 9. − P. 5802—5810.
10. Sinno, T. Point defects dynamics and the oxidation−induced stacking−faults in Czochralski−grown silicon crystals / T. Sinno, R. A. Brown, W. von Ammon, E. Dornberger // J. Electrochem. Soc. − 1998. − V. 145, N 1. − P. 302—306.
11. Talanin, V. I. Kinetis of formation of vacancy microvoids and interstitial dislocation loops in dislocation−free silicon crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2010. − V. 52, N 9. − P. 1880—1886.
12. Voronkov, V. V. Mechanism of swirl defects formation in silicon / V. V. Voronkov // J. Crystal Growth. − 1982. − V. 59, N. 3. − P. 625—642.

13. Talanin, V. I. About formation of grown−in microdefects in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin // Can. J. Phys. − 2007. − V. 85, N 12. − P. 1459—1471.
14. von Ammon, W. Bulk properties of very large diameter silicon single crystal. / W. von Ammon, E. Dornberger, P. O. Hansson // J. Cryst. Growth. − 1999. − V. 198—199, N 1—4. − P. 390—398.
15. Talanin, V. I. Kinetis model of growth and coalescence of oxygen and carbon precipitates during cooling of as−grown silicon crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2010. − V. 52, N 9. − P. 1880—1886.
16. Nakamura, K. Grown−in defects in silicon crystals / K. Nakamura, T. Saishoji, J. Tomioka // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 237—239, N 1. − P. 1678—1684.
17. Brown, R. A. Engineering analysis of microdefects formation during silicon crystal growth / R. A. Brown, Z. Wang, T. Mori // J. Cryst. Growth. − 2001. − V. 225, N 1. − P. 97—112.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back