• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #4 →  Back

Моделирование процессов и материалов
ArticleName Тепловая оптимизация условий выращивания монокристаллов кремния на установке «Редмет–90М»
ArticleAuthor Верезуб Н. А., Простомолотов А. И.
ArticleAuthorData Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов, Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН
Abstract
Рассмотрен комплекс вопросов, связанных с тепловой оптимизацией при выращивании монокристаллов кремния (по методу Чохральского). Для оптимизации температурного поля в выращиваемом монокристалле применены специальные конструкции теплового экрана, в том числе с водяным охлаждением. Для управления процессами тепломассопереноса и формой фронта кристаллизации исследовано влияние скорости вращения тигля на азимутальную скорость расплава и форму фронта кристаллизации.
keywords Выращивание монокристаллов кремния, оптимизация, метод Чохральского, установка «Редмет-90М».
References
1. Пат. RU 2355834 C1. Устройство для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, В. Ю. Жвирблянский, М. Г. Мильвидский; ГНУ ИХПМ. Заявл. 20.05.2009.
2. Пат. RU 2382121 C1. Устройство для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, В. Ю. Жвирблянский, М. Г. Мильвидский; ГНУ ИХПМ. Заявл. 20.02.2010.
3. Togawa, S. Oxygen transport from a silica crucible in Czochralski silicon growth / S. Togawa, K. Izunome, S. Kawanishi, S.— Ik. Chung, K. Terashima, S. Kimura // J. Cryst. Growth. — 1996. — V. 165. — P. 362—371.
4. Pat. US 5593498. Apparatus for rotating a crucible of a crystal pulling machine / S. I. Kimbel, H. W. Korb, C. F. Hall. 14.01.1997.
5. Polezhaev, V. I. Convection during crystal growth on Earth and in space / V. I. Polezhaev, K. G. Dubovik, S. A. Nikitin, A. I. Prostomolotov, A. I. Fedyushkin // J. Cryst. Growth. — 1981. — V. 52. — P. 465—470.
6. Свидетельство о гос. рег. программ для ЭВМ № 2009613989. Программа «CRYSTMO/MARC» для сопряженного теплового моделирования / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов; ОАО«Гиредмет». Заявл. 27.07. 2009.
7. Верезуб, Н. А. Исследование теплопереноса в ростовом узле процесса Чохральского на основе сопряженной математической модели / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. — 2000. — № 3. — С. 28—34.
8. Prostomolotov, A. I. Integrated approach for modeling of heat transfer and microdefect formation during CZ silicon single crystal growth / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub // Solid State Phenomena. — 2008. — V. 131/133. — P. 283—288.
9. Prostomolotov, A. I. Thermal optimization of Cz silicon single crystal growth / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub, M. G. Mil’vidskii // Ibid. — 2010. — V. 156/158. — P. 217—222.
10. Prostomolotov, A. I. Simplistic approach for 2D CZ grown—in microdefect modeling / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub // Physica status solidi (C). — 2009. — V. 6, N 8. — P. 1878—1881.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back