• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #4 →  Back

Материаловедение и технология. Полупроводники
ArticleName Особенности формирования внутреннего геттера в бездислокационных пластинах кремния, легированных азотом
ArticleAuthor Меженный М. В., Мильвидский М. Г., Резник В. Я.
ArticleAuthorData М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, ОАО «ГИРЕДМЕТ»; В. Я. Резник, Институт химических проблем микроэлектроники.
Abstract
Методами оптической и просвечивающей электронной микроскопии изучены особенности дефектообразования в легированных азотом бездислокационных пластинах кремния при многоступенчатых геттерообразующих термообработках, включающих в качестве начального этапа различные варианты быстрого термического отжига (БТО). Исследованы пластины диаметром 200 мм с ориентацией (100), p−типа проводимости с удельным сопротивлением 10—12 Ом · см и содержанием азота и кислорода [N] = 1,6 · 1014 см−3 и [Oi] = (6÷7) · 1017 см−3 соответственно. Установлено, что использование стандартного режима БТО (1250 °С в течение 20 с в атмосфере аргона) хотя и позволяет сформировать в объеме пластины при последующих преципитатобразующих термообработках необходимую дефектную среду, однако не обеспечивает создание достаточно протяженного бездефектного приповерхностного слоя. Показано, что сформировать в пластинах бездефектный приповерхностный слой необходимой протяженности удалось при введении в общепринятую схему многоступенчатой термообработки дополнительного предварительного БТО в атмосфере кислорода. Проанализированы возможные причины наблюдаемых явлений.
keywords Бездислокационный кремний, микроскопия, быстрый термический отжиг, геттер, термообработка.
References

1. Nakai, K. Oxygen precipitate behavior of nitrogen−doped CZ−Si crystals / K. Nakai, Y. Inoue, H. Yokota, J. Takahashi, K. Kitahara, A. Ikari, Y. Ohta, M. Hashebe, W. Ohashi // Proc. Kazusa Academia Park Forum on the Silicon and Technology of Silicon Materials. − Chiba (Japan), 1999. − P. 192—215.
2. Voronkov, V. V. Multiplicity of nitrogen species in silicon: the impact on vacancy trapping / V. V. Voronkov, R. Falster // Solid State Phen. − 2008. − V. 131—133. − P. 219—224.
3. Yang, D. Observation of vacancy enhancement during rapid thermal annealing in nitrogen / D. Yang, R. Fan, Y. Shen, D. Tian, L. Li, D. Que // High Purity Silicon VI; SPJH V ECS Proc. − 2000. − V. 2000−17. − P. 357—364.
4. Меженный, М. В. Влияние быстрого термического отжига на особенности дефектообразования в пластинах кремния при создании эффективного внутреннего геттера / М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник // Тез. V Междунар. конф. по актуальным проблемам физики и материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Кремний−2008). − Черноголовка, 2008.
5. Voronkov, V. V. Vacancy and self−interstitial concentration incorporated into growing silicon crystals / V. V. Voronkov, R. Falster // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 86. − P. 5975—5982.
6. Falster, R. Vacancy−assisted oxygen precipitation phenomena in Si / R. Falster, D. Gambaro, M. Olmo, M. Cornara, H. Korb // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. − 1998. − V. 510. − P. 37.
7. Falster, R. On the properties of the intrinsic point defects in silicon: A perspective from crystal growth and wafer processing / R. Falster, V. V. Voronkov, F. Quast // Phys. status solidi (b). − 2000. − V. 222. − P. 219—244.

8. Falster, R. Gettering in silicon: fundamentals and resent advances / R. Falster // Semiconductor Fabtech. − 2001. − V. 13. − P. 187—193.
9. Aihara, K. Enhanced nucleation of oxide precipitates during Czochralski silicon crystal growth with nitrogen doping / K. Aihara, H. Takeno, Y. Hayaroizu, M. Tamatsuka, T. Masui // J. Appl. Phys. − 2000. − V. 88. − P. 3705.
10. Yang, D. Thermal stability of oxygen precipitates in nitrogen-doped Czochralski silicon / D. Yang, H. Wang, X. Yu, X. Ma, D. Que // Solid state phen. − 2004. − V. 95—96. − P. 111—116.
11. Yu, X. Oxygen precipitation of nitrogen−doped Czochralski silicon subjected to multi−step thermal process / X. Yu, D. Yang, X. Ma, D. Que // High Purity Silicon IX: ECS Proc. − 2006. − V. 4218. − P. 89—96.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back