Изготовлены образцы ядерных детекторов с различными видами потенциальных барьеров на слоях арсенида галлия толщиной 40 мкм с концентрацией носителей заряда менее 10¹² см⁻³, выращенных методом хлоридной эпитаксии. Представлены результаты исследования спектральных характеристик от источников α−, β−, γ−излучений. Показано высокое детекторное качество используемого материала и выбраны направления дальнейшей оптимизации конструкций детекторов на VPE−GaAs.

1. Koltsov, G. I. Comparative characteristics of GaAs detectors and silicon pixel detectors with internal amplification / G. I. Koltsov, V. N. Murashev, A. P. Chubenko, R. A. Mukhamedshin, G. I. Britvich, A. V. Chernykh, S. V. Chernykh // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. − 2009. − V. 1108.
2. Horisberger, R. The bipolar silicon microstrip detector: A proposal for a novel precision tracking device / R. Horisberger // Nucl. Instrum. and Methods. − 1990. − V. 288. − P. 87—91.
3. Markov, A. V. Semi−insulating LEC GaAs as a material for radiation detectors: materials science issues / A. V. Markov, M. V. Mezhennyi, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, V. K. Eremin, E. M. Verbitskaya, V. N. Gavrin, Y. P. Kozlova, Y. P. Veretenkin, T. J. Bowles // Ibid. − 2001. − V. 466. − P. 14—24.
4. Buttar, C. M. GaAs detectors / C. M. Buttar // Ibid. − 1997. − V. 395. − P. 1—8.
5. Tyazhev, A. V. GaAs radiation imaging detectors with an active layer thickness up to 1 mm / A. V. Tyazhev, D. L. Budnitsky, O. B. Koretskaya, V. A. Novikov, L. S. Okaevich, A. I. Potapov, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Ibid. − 2003. − V. 509. − P. 34—39.
6. Корецкая, О. Б. Детекторы гамма−излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом / О. Б. Корецкая, В. А. Новиков, Л. С. Окаевич, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев // Электрон. пром−ность. − 2002. − № 2–3. − С. 37—39.
7. Байко, И. Ю. Детекторные структуры на основе арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии / И. Ю. Байко, А. П. Воробьев, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, А. А. Ларионов, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Там же. − 2002. − № 2–3. − С. 46—53.
8. Беспалов, В. А. Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе / В. А. Беспалов, А. В. Воронцов, А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, Г. П. Жигальский, Э. А. Ильичев, А. В. Кулаков, Б. Г. Налбандов, В. С. Пантуев, В. И. Распутный, Ю. Н. Свешников, С. С. Шмелев // ЖТФ. − 2004. − Т. 74, № 3. − С. 28—36.
9. Owensa, A. High resolution X−ray spectroscopy using a GaAs pixel detector / A. Owensa, M. Bavdaza, A. Peacock, H. Andersson, S. Nenonen, M. Krumrey, A. Puig // Nucl. Instrum. and Methods. − 2002. − V. 479. − P. 531—534.