Journals →
Материалы электронной техники →
2010 →
#1 →
Back
Back
| НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИЯ | |
| ArticleName | Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек в гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs |
| ArticleAuthor | Р. Х. Акчурин, Н. Т. Вагапова |
| ArticleAuthorData | Р. Х. Акчурин, доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой «Материалы микроопто- и наноэлектроники», Н. Т. Вагапова, аспирант, (Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ им. М. В. Ломоносова), 119571, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 86). |
| Abstract | На основе модели энергетического баланса проведен расчет критических толщин образования дислокаций несоответствия и перехода от двухмерного роста к трехмерному по механизму Странского—Крастанова при формировании гетероструктур InxGa1?xAs/GaAs. Определены предельные значения этих величин и интервалы составов твердых растворов, позволяющие обеспечивать рост бездислокационных квантовых точек. |
| keywords | Гетероструктура, квантовые точки, эпитаксиальный рост, механизм Странского—Крастанова. |
| References | 1. Ustinov, V. M. Quantum dot lasers / V. M. Ustinov,
A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev // N.-Y.: Oxford University
Press, 2003. 2. Krupanidhi, S. B. III-V compound semiconductor quantum dots for nanoelectronics / S. B. Krupanidhi // J. Indian Institute of Sci. - 2007. - V. 87. - P. 1. 3. Berti, M. Experimental evidence of two-dimensional—tree- dimensional transition in the Stranski—Krastanow coherent growth / M. Berti, A. V. Drigo, G. Rossetto, G. Torso // J. Vac. Sci. Thechnol. B. 1997. - V. 15. - P. 1795. 4. Mariette, H. Formation of self-assembled quantum dots induced by the Stranski—Krastanow transition: a comparison of various semiconductor systems / H. Mariette // C. R. Physique. - 2005. - V. 6. - P. 23. 5. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledensov // Hoboken (N.S.) Wiley, 1999. 6. Priester, C. Origin of self-assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy / C. Priester, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 5, Iss. 1. - P. 93—95. 7. Tersoff, J. Shape Transition in growth of strained islands: spontaneous Formation of QW / J. Tersoff, R. M. Tromp // Phys. Rev. Lett. - 1993. - V. 70. - P. 2782. 8. Semiconductors. Physics of group IV elements and III-V compounds / Ed. by O. Madelung - Berlin; Heidelberg; New York : Springer-Verlag, 1982. (Landolt-B-rnstein. New Series. - V. III/17a). 9. Leonard, D. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs / D. Leonard, K. Pond, P. M. Petroff // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 50. - P. 11687. 10. Kaiander, I. MOCVD growth of InGaAs/GaAs QDs for long wavelength lasers and VCSELs / I. Kaiander // Diss. ... dr. rer. nat. - Berlin, 2006. - 129 s. 11. Pohl, U. W. Real-time control of quantum dot laser growth using reflectance anisotropy spectroscopy / U. W. Pohl, K. Potschke, I. Kaiander, J.-T. Zettler, D. Bimberg // J. Cryst. Growth. - 2004. - V. 272. - P. 143—147. |
| Language of full-text | russian |
| Full content | Buy |
