• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #1 →  Back

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ
ArticleName Моделирование кинетики процесса коалесценции первичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
ArticleAuthor В. И. Таланин, И. Е. Таланин, А. И. Мазурский, М. Л. Максимчук
ArticleAuthorData В. И. Таланин, кандидат физ.мат. наук, доцент, профессор, И. Е. Таланин, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой, А. И. Мазурский, магистр, М. Л. Максимчук, магистр, (Классический приватный университет, Украина, 69002, г. Запорожье, ул. Жуковского, д. 70Б).
Abstract Получено аналитическое выражение функции изменения распределения зародышей первичных ростовых микродефектов по размерам. Показано, что стадия коалесценции первичных ростовых микродефектов не разделена во времени и идет параллельно со стадией процесса их образования.
keywords Микродефекты, монокристаллы кремния, коалесценция, кинетика, зародышеобразование.
References 1. Talanin, V. I. Mechanism of formation and physical classification of the grown-in microdefects in semiconductor silicon / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Defects and Diffusion Forum. - 2004. - V. 230/232. - P. 177—198.
2. Talanin, V. I. Formation of grown-in microdefects in dislocation-free silicon monocrystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // New research on semiconductors - N.-Y. : Nova Sci. Publ., 2006. - P. 31—67.
3. Таланин, В. И. Взаимодействие точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния / В. И. Таланин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники - 2007. - № 4. - С. 27.
4. Таланин, В. И. Моделирование и свойства дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния / В. И. Таланин - Запорожье : ГУ ЗИГМУ, 2007. - 276 с.
5. Таланин, В. И. О рекомбинации собственных точечных дефектов в бездислокационных монокристаллах кремния / В. И. Таланин, И. Е. Таланин // ФТТ. - 2007. - Т. 49, Вып. 3. - С. 450—453.
6. Itsumi, M. Octahedral void defects in Czochralski silicon / M. Itsumi // J. Cryst. Growth. - 2002. - V. 237/239. - P. 1773—1785.
7. Talanin, V. I. About the simulation of primary grown-in microdefects in dislocation-free silicon single-crystal formation / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin // Canadian J. Phys. - 2007. - V. 85, N 12. - P. 1459—1471.
8. Talanin, V. I. The aggregation of point defects in dislocation- free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin, A. V. Sirota // Functional Mater. - 2007. - V. 14, N 1. - P. 48—52.
9. Лифшиц, Е. М. Физическая кинетика / Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский ? М. : Физматлит, 2002. - 536 с.
10. Лифшиц, И. М. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов / И. М. Лифшиц, В. В. Слезов // ЖЭТФ. - 1958. - Т. 35, № 2. - С. 479.
11. Слезов, В. В. Диффузионный распад твердых растворов / В. В. Слезов, В. В. Сагалович // УФН. - 1987. - Т. 151, Вып. 1. - С. 67—104.
12. Ситникова, А. А. Исследование микродефектов D-типа в монокристаллах кремния / А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, Э. Г. Шейхет // ФТТ. - 1987. - Т. 29, № 9. - С. 2623—2628.
13. Смирнов, Б. М. Генерация кластерных пучков / Б. М. Смирнов // УФН. - 2003. - Т. 173, № 6. - С. 609—648.
14. Булярский, С. В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии / С. В. Булярский, В. В. Светухин, О. В. Приходько // ФТП. - 1999. - Т. 33, Вып. 11. - С. 1281—1286.
15. Ueki, T. Shrinkage of grown-in defects in Czochralski silicon during thermal annealing in vacuum / T. Ueki, M. Itsumi, T. Takeda // Jap. J. Appl. Phys. - 1999. - V. 38. - P. 5695—5704.
16. Talanin, V. I. Physical nature of grown-in microdefects in czochralski-grown silicon and their transformation during various technological effects / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. status Solidi. a. - 2003. - V. 200. - P. 297—306.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back