• Acquire
Hide↑
Journals →  Цветные металлы →  2010 →  #9 →  Back

Магний, титан, редкие металлы, полупроводники
ArticleName Определение удельной скорости низкотемпературного гетерогенного гидрирования тетрахлорида кремния
ArticleAuthor Аркадьев А. А., Кох А. А., Чапыгин А. М., Новиков А. В., Шварев К. П.
ArticleAuthorData А. А. Аркадьев, вед. науч. сотр., e-mail: girotd2@giredmet.ru; А. А. Кох, вед. науч. сотр.; А. М. Чапыгин, вед. науч. сотр.; А. В. Новиков, науч. сотр.; К. П. Шварев, науч. сотр., ОАО “Гиредмет”. Авторы выражают благодарность Ю. Н. Назарову (зав. лабораторией, канд. техн. наук) за участие в обсуждении результатов работы.
Abstract

Приведены описание и результаты исследований в области технологии получения трихлорсилана (ТХС), являющегося сырьем для производства поликристаллического кремния. Описана лабораторная установка низкотемпературного гидрирования тетрахлорида кремния. Проведенные исследования направлены на решение проблемы конверсии тетрахлорида кремния, образующегося в больших количествах и при прямом синтезе ТХС, и в производстве поликристаллического кремния. Определено значение удельной скорости процесса низкотемпературного гидрирования тетрахлорида кремния, протекающего с достижением максимального содержания ТХС в синтезируемой парогазовой смеси.
keywords Tрихлорсилан, поликристаллический кремний, удельная скорость, низкотемпературное гидрирование, парогазовая смесь, реактор псевдоожиженного слоя, электропечь.
References

1. Бочкарев Э. П., Елютин А. В., Иванов Л. С. и др. Низкотемпературное гидрирование тетрахлорида кремния // Кремний-96 : тез. докл. 1-й Всерос. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния. — M., 1996. C. 293.
2. Аpкадьев А. А., Стаpобина Т. М., Назаpов Ю. Н. и дp. Физико-химическиe исследования способов синтеза тpихлоpсилана пpи повышенном давлении // 3-е Всесоюз. совещ. по хлоpной металлуpгии pедких элементов, титана и кpемния : тез. докл. — М., 1989. С. 59.
3. Кодзима Т., Фуpусава Т. // Кагаку Кагаку. 1987. Т. 51, № 3. С. 217–227.
4. Заявка 57-129817 (А) Япония. Способ получения тpихлоpсилана. 1982.
5. Pat. 4340574 USA, IC3 C 01 B 33/04. Process for the production of ultrahigh purity silane with recycle from separation columns / Coleman L. M. ; appl. 28.08.1980 ; publ. 20.07.1982.
6. Аркадьев А. А., Назаров Ю. Н., Старобина Т. М. и др. Исследование кинетики процесса каталитического гидрирования тетрахлорида кремния до трихлорсилана при повышенном давлении // Кремний-96 : тез. докл. 1-й Всерос. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния. — M., 1996. C. 175.
7. Пат. 59-271940 Япония. Непpеpывное получение силана.1984.
8. Пат. 61-151017 Япония. Непpеpывное получение силана. 1987.
9. Pat. 4526769 USA, IC3 C 01 B 33/035. Trichlorosilane production process / Ingle W. M., Peffley M. S., Setty H. S. ; appl. 18.07.1983 ; publ. 02.07.1985.
10. Заявка 3341340 ФРГ, IC3 C 01 B 33/107. Verfahren zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid zu Trichlorsilan / Schnegg A., Rurlaender R. ; заявл. 15.11.1985 ; опубл. 23.05.1985.
11. Iya S. K. Production of ultra-high-purity polucristalline selicon // J. Cristal Growth. 1986. Vol. 75. P. 88–90.
12. Pat. 2595620 USA, IC C 07 F 7/12. Hydrogenation of halogenosilanes / Wagner G. H., Erickson Ch. E. ; appl. 27.11.1948 ; publ. 06.05.1952.
13. Заявка 59-45919 (А) Япония. Способ получения тpихлоpсилана. 1984.
14. Разумов И. М. Псевдоожижение и пневмотранспорт сыпучих материалов. — М. : Химия, 1964. — 159 c.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back