Приведены описание и результаты исследований в области технологии получения трихлорсилана (ТХС), являющегося сырьем для производства поликристаллического кремния. Описана лабораторная установка низкотемпературного гидрирования тетрахлорида кремния. Проведенные исследования направлены на решение проблемы конверсии тетрахлорида кремния, образующегося в больших количествах и при прямом синтезе ТХС, и в производстве поликристаллического кремния. Определено значение удельной скорости процесса низкотемпературного гидрирования тетрахлорида кремния, протекающего с достижением максимального содержания ТХС в синтезируемой парогазовой смеси.
1. Бочкарев Э. П., Елютин А. В., Иванов Л. С. и др. Низкотемпературное гидрирование тетрахлорида кремния // Кремний-96 : тез. докл. 1-й Всерос. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния. — M., 1996. C. 293.
2. Аpкадьев А. А., Стаpобина Т. М., Назаpов Ю. Н. и дp. Физико-химическиe исследования способов синтеза тpихлоpсилана пpи повышенном давлении // 3-е Всесоюз. совещ. по хлоpной металлуpгии pедких элементов, титана и кpемния : тез. докл. — М., 1989. С. 59.
3. Кодзима Т., Фуpусава Т. // Кагаку Кагаку. 1987. Т. 51, № 3. С. 217–227.
4. Заявка 57-129817 (А) Япония. Способ получения тpихлоpсилана. 1982.
5. Pat. 4340574 USA, IC3 C 01 B 33/04. Process for the production of ultrahigh purity silane with recycle from separation columns / Coleman L. M. ; appl. 28.08.1980 ; publ. 20.07.1982.
6. Аркадьев А. А., Назаров Ю. Н., Старобина Т. М. и др. Исследование кинетики процесса каталитического гидрирования тетрахлорида кремния до трихлорсилана при повышенном давлении // Кремний-96 : тез. докл. 1-й Всерос. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния. — M., 1996. C. 175.
7. Пат. 59-271940 Япония. Непpеpывное получение силана.1984.
8. Пат. 61-151017 Япония. Непpеpывное получение силана. 1987.
9. Pat. 4526769 USA, IC3 C 01 B 33/035. Trichlorosilane production process / Ingle W. M., Peffley M. S., Setty H. S. ; appl. 18.07.1983 ; publ. 02.07.1985.
10. Заявка 3341340 ФРГ, IC3 C 01 B 33/107. Verfahren zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid zu Trichlorsilan / Schnegg A., Rurlaender R. ; заявл. 15.11.1985 ; опубл. 23.05.1985.
11. Iya S. K. Production of ultra-high-purity polucristalline selicon // J. Cristal Growth. 1986. Vol. 75. P. 88–90.
12. Pat. 2595620 USA, IC C 07 F 7/12. Hydrogenation of halogenosilanes / Wagner G. H., Erickson Ch. E. ; appl. 27.11.1948 ; publ. 06.05.1952.
13. Заявка 59-45919 (А) Япония. Способ получения тpихлоpсилана. 1984.
14. Разумов И. М. Псевдоожижение и пневмотранспорт сыпучих материалов. — М. : Химия, 1964. — 159 c.