В работе исследовалось влияние обработки в водородной плазме тлеющего разряда на структурные свойства тонких пленок SiC1,4 и SnOx. Слой SiC1,4 получен многократной имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ в кремниевую подложку. Обнаружено, что обработка в водородной плазме приводит к полному распаду кристаллитов кремния в переходном слое пленка—подложка (SiC–Si) и ухудшению структурного совершенства кристаллитов карбида кремния в слое SiC1,4. Пленки SnOx толщиной ~350 нм получены методом магнетронного осаждения в атмосфере Ar–O2 на стеклянной подложке. Показано, что фазовый состав и структура пленок SnOx существенно зависят от давления смеси Ar–O2 в камере в пределах 1,0–2,7 Па. Показано различное влияние водородной и кислородной плазмы на процессы сегрегации и распада поликристаллических фаз в пленках SnOx. Очевидно, что воздействие водородной плазмы распространяется на всю глубину пленок (~200–300 нм), вызывая распад кристаллитов кремния или оксида олова. Проникновение большого количества ионов водорода плазмы через твердую пленку предполагает насыщение материала пленок атомами водорода.
1. Суздалев И. П. Нанотехнология : физикохимия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. — М. : КомКнига, 2006. — 592 с.
2. Yаn Н., Wang В., Song Х. М. et al. // Diamond and related materials. 2000. N 9. P. 1795.
3. Sari A. H., Ghorbani S., Dorranian D. et al. // Appl. Surface Sci. 2008. Vol. 255 (5). Pt 1. P. 2180–2184.
4. Nussupov K. Kh., Beisenkhanov N. B., Tokbakov J. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1995. Vol. 103. Р. 161–174.
5. Borders J. A., Picraux S. T., Beezhold W. // Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18 (11). Р. 509–511.
6. Баранова Е. K., Демаков K. Д., Старинин K. В. и др. // Доклады АН СССР. 1971. Т. 200. C. 869–870.
7. Nussupov K. Kh., Beisenkhanov N. В., Valitova I. V. et al. // Physics of the Solid State. 2006. Vol. 48 (7). P. 1255–1267.
8. Nussupov K. Kh., Beisenkhanov N. B., Valitova I. V. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. in Electronics. Vol. 19, suppl. 1, N 12. P. 254–262.
9. Герасименко Н. Н., Кузнецов О. Н., Лежейко Л. В. и др. // Микроэлектроника. 1974. Т. 3, вып. 5. С. 467–468.
10. Рембеза С. И., Свистова Т. В., Рембеза Е. С., Борсякова О. И. // Физика и техника полупроводников. 2001. 35 (7). C. 796–800.
11. Karapatnitski I. A., Mit’ K. A., Mukhamedshina D. M., Beisenkhanov N. B. // Surface and Coat. Technol. 2002. Vol. 151–152. P. 76–81.
12. Jiang J. C., Lian K., Meletis E. I. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 411. P. 203–210.
13. Mukashev B. N., Tokmoldin S. Zh., Beisenkhanov N. B. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2005. Vol. 118. N 1–3. P. 164–169.