• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2013 →  #4 →  Back

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
ArticleName Интегрально–дифференциальный метод термоспектроскопии энергетических уровней в полупроводниках по релаксации их заряда
ArticleAuthor Ф. И. Маняхин
ArticleAuthorData

Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:

Ф. И. Маняхин
Abstract

Предложен принципиально новый метод измерения параметров энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводников от 0,07 до 0,4 эВ, основанный на интегрировании релаксирующего заряда этих уровней и дифференцировании интеграла заряда модулированием ширины временного окна импульса напряжения смещения малой амплитуды. Представлен математический аппарат предложенного метода, позволяющий моделировать температурный спектр энергетических уровней. Показано, что определение энергетического положения глубокого уровня возможно при одном проходе температурного сканирования, что снижает трудоемкость эксперимента. Проведено экспериментальное исследование энергетических уровней в светодиодной структуре зеленого свечения на основе AlGaN/InGaN/GaN. Выявлены уровни ΔEt = 0,14 ± 0,01 и ΔEt = 0,2 ± 0,015 эВ предположительно принадлежащие VGa и Mg соответственно.
keywords Глубокие уровни запрещенной зоны полупроводника, метод исследования глубоких уровней, математическая модель метода, температурное сканирование, температурный спектр уровней
References

1. Lang, D. V. Deep−level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D. V. Lang // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45, N 7. − P. 3023—3032.
2. Sah, C. T. Thermally stimulated capacitance (TSCAP) in p—n−junctions / C. T. Sah, W. W. Chan, H. S. Fu, J. W. Walker // Appl. Phys. Lett. − 1972. − V. 20, N 5. − P. 193—195.
3. Sah, S. T. Thermally simulated capacitance for shallow majority−carrier traps in the edge region of semiconductor junctions / S. T. Sah, J. W. Walker // Ibid. − 1973. − V. 22, N 8. − P. 384—385.
4. Berman, L. S. Emkostnaya spektroskopiya glubokih centrov v poluprovodnikah / L. S. Berman, A. A. Lebedev. − L. : Nauka, 1981. − 76 p.
5. Bougrov, V. Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / V. Bougrov, M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, A. Zubrilov. − N. Y. : Wiley, 2001. − P. 1—50.
6. Strite, S. GaN, AlN and InN: A Review / S. Strite, H. Morcos // J. Vac. Sci. Tecnol. B. − 1992. − V. 10, N 4. − P. 1237—1266.
7. Manyahin, F. I. Vliyanie rezhimov ekspluatacii svetodiodov na process defektoobrazovaniya v oblasti p−n perehoda i snizhenie kvantovogo vyhoda / F. I. Manyahin // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2010. − N 3. − P. 47—51.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back