Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН:

И. Д. Лошкарев

А. П. Василенко

Е. М. Труханов

А. В. Колесников

А. С. Ильин

М. А. Путято

Б. Р. Семягин

В. В. Преображенский

Выявлена существенная зависимость деформационного состояния кристаллической решетки пленок GaAs, выращенных методом молекулярно−лучевой эпитаксии от способа зарождения первых слоев прослойки GaP (50 нм) на вицинальной подложке Si(001) 4° вокруг оси <011>. Рост GaP начинался послойно с галлиевого или фосфорного подслоя. Установлено, что в случае зарождения GaP с галлия, пленка GaAs имеет значительный поворот кристаллической решетки вокруг направления <011>. При формировании прослойки с фосфорного подслоя заметен поворот пленки GaAs вокруг <001>. Степень релаксации пленки составляет более 100 %, она находится в латерально растянутом состоянии. Анализ проведен с использованием модели триклинных искажений. Представлена карта рассеяния в обратном пространстве, полученная с помощью рентгеновской дифрактометрии в трехосевой схеме малого разрешения. На карте явно виден факт поворота кристаллической решетки пленки GaAs.

1. Bolhovityanov, Yu. B. Epitaksiya GaAs na kremnievyh podlozhkah: sovremennoe sostoyanie issledovanii i razrabotok / Yu. B. Bolhovityanov, O. P. Pchelyakov // UFN. − 2008. − T. 178, N 5. − P. 459—480
2. Fewster, P. F. X−ray scattering from semiconductors / P. F. Fewster. − L. : Imperial College Press, 2003. − 299 p.
3. Nagai, H. Structure of vapor−deposited Ga_xIn_1−xAs crystals / H. Nagai // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45. − P. 3789.
4. Kolesnikov, A. V. Rentgenodifrakcionnyi analiz iskazhenii epitaksial’noi plenki na otklonennyh podlozhkah / A. V. Kolesnikov, A. S. Il’in, E. M. Truhanov, A. P. Vasilenko, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin // Izv. RAN. ser. fiz. − 2011. − T. 75, N 5. − P. 652—655.
5. Bouen, D. K. Vysokorazreshayushaya rentgenovskaya difraktometriya i topografiya / D. K. Bouen, B. K. Tanner. − Sb.P. : Nauka, 2002. − 276 p.
6. Bringans, R. D. Surface bands for single−domain 2 × 1 reconstructed Si(100) and Si(100) : As. Photoemission results for off-axis crystals / R. D. Bringans, R. I. G. Uhrberg, M. A. Olmstead, R. Z. Bachrach // Phys. Rev. B. − 1986. − V. 34, N 10. − P. 7447—7450.
7. Bringans, R. D. Atomic−step rearrangement on Si(100) by interaction with arsenic and the implication for GaAs−on−Si epitaxy / R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, L.−E. Swartz // Phys. Rev. B. − 1991. − Т. 44, N 7. − P. 3054—3063.