ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина:

С. В. Быткин

Запорожская государственная инженерная академия, Украина:

Т. В. Критская

Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:

С. П. Кобелева

Исследованы характеристики маломощных и силовых тиристоров на основе бездислокационных монокристаллов кремния, легированных германием в диапазоне концентраций N_Ge ~ (0,05÷1,5) ⋅ 10²⁰ см⁻³. С использованием методов обработки экспериментальных данных в среде STATISTICA и MathCAD оценены критериальные параметры тиристоров при действии облучения и высоких температурных градиентов. Показана целесообразность использования кремния, легированного германием, для повышения термической стабильности и радиационной стойкости приборов, подвергнутых действию γ−облучения в диапазоне доз до 2,94 ⋅ 10⁶ мЗв.

Статья написана по материалам доклада, представленного на Седьмой Международной конференции «Кремний−2010».

1. Catrene scientific committee eorking group: Integrated power & energy efficiency [Elektronnyi document] (http://www.catrene.org/web/downloads/IPEE_Report_by_Catrene%20Sci._Comm.pdf).
2. Weigel, W.−D. Moderne drehstromantriebstechnik — stand und perspektiven / W.−D. Weigel // ZEVrail Glasers Annalen (Tagungsband SFT Graz). − 2002. − P. 112—125.
3. Kaminski, N. Vozdeistvie kosmicheskogo izlucheniya na intensivnost‘ otkazov IGCT [Elektronnyi document] / N. Kaminski, A. Chekmarev, I. Korzina, T. Styasni // Silovaya elektronika. − 2008. − N 1. − P. 30—32 (http://www.power−e.ru/2008_1_30.php).
4. O Federal‘noi celevoi programme «Nacional‘naya tehnologicheskaya baza» na 2007—2011 gody (v red. Postanovleniya Pravitel‘stva RF ot 26.11.2007 N 809). [Elektronnyi document] (http://www.intpark.noolab.ru/uploads/1245030251.doc).
5. Kritskaya, T. V. Upravlenie svoistvami i razrabotka promyshlennoi tehnologii monokristallicheskogo kremniya dlya elektroniki i solnechnoi energetiki: Diss. d−ra. tehn. n. − Zaporozh’e, 2006. − 375 p.
6. Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits. / S. V. Bytkin // Fourth Europ. Conf. on Radiation and Its Effects on Components and Systems Proceedings. − Cannes (France), 1997. − P. 141—146.
7. Bytkin, S. V. Materialy i processy v tehnologii kremnievyh priborov, ustoichivyh k deistviyu ioniziruyushih izluchenii: analiz effektivnosti primeneniya / S. V. Bytkin, O. V. Bytkina − Zaporozh’e : Izd−vo ZGIA, 1997. − 84 p.
8. Bytkin, S. V. Radiacionnaya stoikost’ planarnyh n—p—n−struktur, izgotovlennyh iz monokristallov kremniya s razlichnoi koncentraciei germaniya / S. V. Bytkin, T. V. Kritskaya // Skladni sistemi i procesi − 2003. − N 2. − P. 90—96.

9. Barabash L. I. Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / L. I. Barabash, I. M. Vishnevs'kii, A. A. Groza, A. Ya. Karpenko, P. G. Litovchenko, M. I. Starchik // Voprosy atomnoi nauki i tehniki. Ser. 90: Fizika radiacionnyh povrezhdenii i radiacionnoe materialovedenie. − 2007. − N 2. − P. 182—189.
10. Defense technology strategy for the demands of the 21^st century [Elektronnyi document] (http://www.science.mod.uk/modwww/content/dts_complete.pdf).
11. Borovikov, V. STATISTICA. Iskusstvo analiza dannyh na komp‘yutere. Dlya professionalov / V. Borovikov. − SPb. : Piter, 2003. − 688 p.
12. Kudryavcev, V. M. Mathcad 11: Polnoe rukovodstvo po russkoi versii. / V. M. Kudryavcev − M. : DMK Press, 2005. − 592 p.
13. Gerlah, V. Tiristory / V. Gerlah − M. : Energoatomizdat, 1985. − 345 p.
14. Kritskaya, T. V. Uprugie napryazheniya v kremnii s vnutrennimi getterami / T. V. Kritskaya, V. E. Kustov, N. A. Tripachko, V. I. Shahovcov // Elektronnaya tehnika. Ser. Materialy. − 1989. − Iss. 4 (241). − P. 41—43.
15. Kritskaya, T. V. Osobennosti spektrov IK−poglosheniya termodonorov v kristallah Si : Ge / T. V. Kritskaya, L. I. Hirunenko, V. I. Shahovcov, V. I. Yashnik // FTP. − 1990. − T. 24, Iss. 6. − P. 1129—1132.
16. Kustov, V. E. Vnutrennie uprugie deformacii v kremnii / V. E.Kustov, T. V. Kritskaya, N. A. Tripachko, L. I. Hirunenko, V. I. Shahovcov, V. I. Yashnik // Neorgan. materialy. − 1991. − N 6. − P. 1116—1118.
17. Khirunenko, L. I. Oxygen in silicon doped with isovalent impurities. / L. I. Khirunenko, Yu. V. Pomozov, M. G. Sosnin, V. K. Shinkarenko // Physica B. − 1999. − V. 273−274. − P. 317—321.