Открытое акционерное общество «Государственный научно−исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»:

А. Г. Белов

Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»:

В. А. Голубятников

Ф. И. Григорьев
А. П. Лысенко

Н. И. Строганкова

М. Б. Шадов

Исследованы вольт−амперные характеристики (ВАХ) и проведены измерения удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла образцов высокоомного теллурида кадмия при комнатной температуре. Исследованные образцы вырезаны из слитков, выращенных методом движущегося теплового поля и легированных хлором на уровне ≈ 2 ⋅ 10¹⁷ см⁻³ (в шихте). В качестве контактных материалов использованы индий и золото. Измерения электрофизических параметров проведены на образцах квадратной формы по методу Вандер−Пау в диапазоне магнитных полей до 1,5 Тл в условиях регулируемой подсветки приконтактных областей белым светом. На этих же образцах исследованы ВАХ. Кроме того, ВАХ исследованы в условиях засветки образца монохроматическим излучением с длиной волны 480 нм через покрытые золотом грани образца. Установлено, что освещение областей вблизи контактов приводит к заметному (на два—три порядка) уменьшению сопротивления образца-двухполюсника. Обнаружено, что наблюдаемые ВАХ были линейными и в большинстве случаев проходили через начало координат, что свидетельствует об отсутствии фото−ЭДС. При увеличении интенсивности подсветки угол наклона ВАХ к оси абсцисс заметно увеличивался. Аналогичные результаты получены при засветке через золотое покрытие. Показано, что подсветка приконтактных областей образца позволяет измерить удельное электрическое сопротивление и коэффициент Холла, что невозможно сделать в отсутствие подсветки.

Авторы выражают глубокую благодарность сотрудникам ОАО «Гиредмет» В. Н. Меринову, Н. И. Шматову и Н. А. Смирновой за предоставленные образцы.

1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618.
2. Brinkman, A. W. Contacts to Cd/Zn/Te/Se compounds / A. W. Brinkman // Properties of Narrow Gap Cadmium−Based Compounds. − London (UK) : INSPEC, 1994. − P. 575—581.
3. Brun, D. Low resistance ohmic contact on n−CdTe / D. Brun, B. Daudin, E. Ligeon // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 65, N 4. − P. 475—477.
4. Klevkov, Yu. V. Vliyanie passivacii poverhnosti p−CdTe v (NH₄)₂S_x na vol’t−ampernye harakteristiki kontaktov / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2006. − T. 40, N 9. − P. 1074—1078.
5. Klevkov, Yu. V. Elektrofizicheskie svoistva nelegirovannyh vysokoomnyh polikristallov n−CdTe / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 6. − P. 670—673.
6. Kolosov, S. A. Izmenenie spektra elektronnyh sostoyanii v polikristallicheskom p−CdTe v rezul’tate otzhiga v Cd i estestvennogo stareniya / S. A. Kolosov, Yu. V. Klevkov, A. Yu. Klokov, V. S. Krivobok, A. I. Sharkov // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 11. − P. 1526—1532.
7. Kosyachenko, L. A. Osobennosti mehanizma elektroprovodnosti poluizoliruyushih monokristallov CdTe / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, S. V. Mel’nichuk, V. M. Sklyarchuk, O. V. Sklyarchuk, T. Aoki // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 729—734.
8. Stafeev, V. I. Struktura i svoistva kontaktov Cd_xHg_1−xTe−metall / V. I. Stafeev // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 5. − P. 636—639.
9. Blank, T. V. Mehanizmy protekaniya toka v omicheskih kontaktah metall−poluprovodnik / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 11. − P. 1281—1308.
10. Belyaev, A. P. Vliyanie metoda sinteza na svoistva plenok tellurida kadmiya, sintezirovannyh v rezko neravnovesnyh usloviyah / A. P. Belyaev, V. P. Rubec, V. V. Antipov, E. O. Eremina // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 7. − P. 978—980.
11. Meriuc, A. V. Osobennosti svetovoi vol’t−ampernoi harakteristiki dvustoronne chuvstvitel’nyh solnechnyh elementov na osnove tonkih bazovyh sloev CdTe / A. V. Meriuc, G. S. Hripunov, T. N. Shelest, N. V. Deineko // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 829—832.
12. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kompensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Tam zhe. − 2013. − T. 47, N 4. − P. 538—545.
13. Kosyachenko, L. A. Self−compensation limited conductivity in semi−insulating indium−doped Cd_0,9Zn_0,1Te crystals / L. A. Kosyachenko, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos // J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112. − P. 013705.
14. Ruzin, A. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe/ A. Ruzin // Ibid. − 2011. − V. 109. − P. 014509.
15. Dubecky, F. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe / F. Dubecky, M. Dubecky // Ibid. − 2012. − V. 111. − P. 026102.