• Покупка статей
  • Telegram_OreMet
Скрыть↑
Журналы →  Materialy Elektronnoi Tekhniki →  2010 →  №3 →  Назад

Epitaxial layers and multilayered compositions
Название Study of Electrical Properties of (SiC)1–х(AlN)x/SiC Anizotropic Heterostructures
Автор B. A. Bilalov, M. K. Kurbanov, A. A. Gadzhiev, Sh. M. Ramazanov
Информация об авторе B. A. Bilalov, A. A. Gadzhiev, (Dagestan State Technical University); M. K. Kurbanov and Sh. M. Ramazanov, (Dagestan State University).
Реферат
p-(SiC)1-x(AlN)x/ /n-6H-SiC have been synthesized by sublimation epitaxy of (SiC)1-x(AlN) semiconductor solid solutions on 6H-SiC substrates. Experimental concentration and temperature functions of the CV curves have been presented. We found that in the presence of high potential barriers direct current is caused by tunneling and carrier recombination through boundary states.
Ключевые слова CV curve, tunneling, carriers, heterostructures.
Библиографический список
1. Dmitriev, A. P. Raschet zonnoj struktury tverdyh rastvorov SiC–AlN metodom psevdopotenciala / A. P. Dmitriev, N. V. Evlahov, A. S. Furman // FTP. - 1996. - Vol. 30, Issue 1. - P. 106—116.
2. Safaraliev, G. K. Vlijanie parametrov rosta na jelektroprovodnost' tverdyh rastvorov (SiC)1-x(AlN)x / G. K. Safaraliev, M. K. Kurbanov, N. V. Oficerova, Ju. M. Tairov // Izv. RAN. Neorgan. mater. - 1995. - Vol. 6, N 6. - P. 1—4.
3. Kurbanov, M. K. Issledovanie geterostruktur SiC/(SiC)1-x(AlN)x metodom vol't-faradnyh harakteristik / M. K. Kurbanov, B. A. Bilalov, Sh. A. Nurmagomedov, G. K. Safaraliev // FTP. - 2001. - Vol. 35, Issue. 2. - P. 216—218.
4. Sah, S. T. Carrier generation and recombination in p-n junction and p-n junction characteristics / S. T. Sah, R. N. Noyce, W. Shockley // Proc. IRE. - 1957. - V. 45. - P. 1228—1243.
5. Lebedev, A. A. Nazvanie / A. A. Lebedev, D. V. Davydov, K. I. Ignat'ev // FTP. - 1996. - Vol. 30, Issue 10. - P. 1865.
6. Nurmagomedov, Sh. A. Poluchenie i issledovanie jepitaksial'nyh sloev shirokozonnyh tverdyh rastvorov SiC1-xAlNx / Sh. A. Nurmagomedov, A. N. Pihtin, V. N. Razbegaev, G. K. Safaraliev, Ju. M. Tairov, V. F. Cvetkov // Pis'ma v ZhTF. - 1986. - Vol. 12, Issue 17. - P. 1043—1045.
7. Davydov, S. Ju. Ob jelektronnom srodstve politipov karbida kremnija / S. Ju. Davydov // FTP. - 2007. - Vol. 41, Issue 6. - P. 718—721.
8. Lebedev, A. A. Issledovanie geterojepitaksial'nyh struktur {p-3C/n-6H}-SiC / A. A. Lebedev, N. S. Savkina, A. S. Tregubova, M. P. Weglov // Ibid. - 1997. - Vol. 31, Issue 9. - P. 1083—1086.
9. Spravochnik po jelektrotehnicheskim materialam / Pod red. Ju. V. Korickogo, V. V. Pasynkova, B. M. Tareeva. - L. : Jenergoatomizdat, 1988. - Vol. 3.
10. Milns, A. Geteroperehody i perehody metall-poluprovodnik / A. Milns, D. Fojht. - M. : Mir, 1975.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад