Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #3 →  Back

Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
ArticleName О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a–Si : H
ArticleAuthor Курова И. А., Ормонт Н. Н.
ArticleAuthorData И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Abstract
Установлено, что слоистые пленки a−Si : H, выращенные методом циклического осаждения с послойным отжигом в водородной плазме, имеют высокую фоточувствительность, которая превышает в области комнатных температур более чем на порядок фоточувствительность стандартных нелегированных пленок a−Si : H, выращенных осаждением в плазме ВЧ тлеющего разряда. Большая фоточувствительность определяется малой темновой проводимостью и высокой фотопроводимостью слоистых пленок в области комнатных температур. Показано, что это может быть обусловлено наличием «очувствляющих» уровней, связанных с повышенной концентрацией кислорода на границе слоев и малой концентрацией оборванных связей кремния в глубине слоев с более упорядоченной структурой.
keywords Аморфный гидрированный кремний (a−Si : H), cлоистые пленки a−Si : H, фотопроводимость, фоточувствительность, «очувствление».
References
1. Курова, И. А. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок Si : H и влияние на них термического отжига / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, В. П. Афанасьев, А. С. Гудовских // ФТП. − 2001. − Т. 35, № 3. − С. 367—370.
2. McMahon, T. J. Hole trapping, light soaking and secondary photocurrent transients in amorphous silicon / T. J. McMahon, R. J. Crandall // Phys. Rev. B. − 1989. − V. 39, N 3. − P. 1766—1771.
3. Balberg, I. Sensitization of the electron lifetime in a−Si : H: The story of oxigen / I. Balberg, R. Naidis, L. F. Fonseca, S. Z. Weisz, J. P. Conde, P. Alpuim, V. Chu // Ibid. − 2001. − V. 63, N 11. − P. 113201(4).
4. Sacata, I. Effects of oxygen impurity on the energy distribution of gap states in hydrogenated amorphous silicon studied by post−transit photocurrent spectroscopy / I. Sacata, T. Kamei, M. Yamanaka // Ibid. − 2007. − V. 76, N 7. − P. 075206(8).
5. Курова, И. А. Особенности фотопроводимости нелегированных слоистых пленок аморфного гидрированного кремния / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // IX Росс. конф. по физике полупроводников «Полупроводники’09». Тезисы докл. − Новосибирск; Томск, 2009. − С. 348.
6. Merazga, A. Numerical simulation of the steady state photoconductivity in hidrogenated amorphous silicon including locdlized state electron hopping / A. Merazga, S. Tobbtche, C. Main, A. Al−Shahrani, S. Reynolds // J. Phys.: Condens. Matter. − 2006. − V. 18, N 15. − P. 3721—3734.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back