• Покупка статей
  • Telegram_OreMet
Скрыть↑
Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №1 →  Назад

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ
Название Влияние условий получения на оптические спектры пропускания и электрофизические свойства кристаллов группы лантан-галлиевого силиката
Автор О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Е. В. Забелина, А. П. Козлова, Н. А. Симинел
Информация об авторе О. А. Бузанов, кандидат техн. наук, главный технолог, ОАО «Фомос-Материалс», 119049, г. Москва, ул. Буженинова, д. 16.; Н. С. Козлова, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, e-mail: kozlova_nina@mail.ru, Е. В. Забелина, младший научный сотрудник., А. П. Козлова, аспирант, e-mail: anna_kozlova_2009@mail.ru, Н. А. Симинел, студент, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский Пр-т, д. 4).
Реферат Изучено влияние условий получения на оптические спектры пропускания и электрофизические свойства монокристаллов лангасита La3Ga5SiO14 и лангатата La3Ta0,5Ga5,5O14, выращенных в различной атмосфере (аргон или аргон с кислородом). Проведены исследования температурных зависимостей электропроводности лангатата в постоянном электрическом поле в диапазоне температур от 20 до 500 oС, а также влияния на них материала токопроводящих покрытий (иридий, золото с подложкой титана, серебро с подложкой хрома).
Ключевые слова Лангатат, электропроводность, оптическая спектроскопия, атмосфера выращивания.
Библиографический список 1. Фрайден, Дж. Современные датчики / Дж. Фрайден - М. : Техносфера, 2006. - 592 с.
2. Shimamura, K. Growth and crystallization of lanthanum gallium silicate single crystals for piezoelectric application / K. Shimamura, H. Takeda, T. Kohno // J. Cryst. Growth. - 1996. - N 163. - P. 388—392.
3. Takeda, H. Effective substitution of aluminum for gallium in langasite?type crystals for a pressure sensor use at high temperature / H. Takeda, S. Tanaka, S. Izukawa, et al. // Ultrasonics Symp. IEEE. - 2005. - V. 1, Iss. 18—21. - P. 560—563.
4. Каминский, А. А. Генерация стимулированного излучения ионов Nd3+ в тригональном ацентричном кристалле La3Ga5SiО14 / А. А. Каминский, С. С. Саркисов, Б. В. Милль и др. // Докл. АН СССР. - 1982. - Т. 264, № 1. - С. 93—95.
5. Дубовик, М. Ф. Пьезоэлектрический материал на основе лангасита / М. Ф. Дубовик, И. А.Андреев, Т. И. Коршикова //А.с. СССР № 1506951. МКИ C30 В29/34, 15/00-1987 г.
6. Wang, Jiyang. Growth, properties and electrooptical applications of single crystal La3Ga5SiO14 / Jiyang Wang, Xin Yin, Rongjiang Han et al. // Opt. Mater. - 2003. - V. 23. - P. 393—397.
7. Jiyang, Wang. Growth of optical quality langasite crystal / Jiyang Wang, Jianxiu Zhang // Ibid. - 2006. - V. 28. — P. 1076— 1079.
8. Komatsu, Ryuichi. Norlinear optical properties of langasite crystal / Ryuichi Komatsu, Tamotsu Sugawara, Satoshi Uda // Jap. Appl. Phys. - 1997. - V. 36. - P. 6159—6161.
9. Balda, R. Study of the Cr3+ sentization and structural disorder effects on the Nd3+ laser action in Ca-gallogermanate-type codoped crystals / R. Balda, J. Azkargorta // Opt. Mater. - 1997. - V. 8. - P. 99—108.
10. Kim, Young Suk. Tm-doped langasite crystals grown by Czochralski method for optical applications / Young Suk Kim, Keun Ho Auh // Mater. Lett. - 2002. - V. 58. - P. 28—31.
11. Kong, Haikuan. Growth, properties and application as an electrooptic Q-switch of langasite crystal / Haikuan Kong, Jiyang Wang, Huaijin Zhang // J. Cryst. Growth. - 2003. - V. 254. - P. 360— 367.
12. Bohm, J. Czochralski growth and characterization of piezoelectric single crystals with langasite structure: LGS, LGN, LGT / J. Bohm, R. B. Heimann, M. Hengst // Ibid. - 1999. - V. 204. - P. 129—136.
13. Dubovik, M. F. The nature of langasite crystals coloration / M. F. Dubovik, R. A. Katrunov, T. I. Korshikova // IEEE Int. Frequency Control Symp. - 1995. - N 95. - P. 638.
14. Busanov, O. A. / O. A. Busanov, A. V. Naumov, V. V. Nechaev et al. // Control Symposium. - 1996. - P. 131.
15. Доморощина, Е. Н. Связь между условиями выращивания, строением и оптическими свойствами кристаллов лангасита La3Ga5SiО14 / Е. Н. Доморощина, Г. М. Кузьмичева, В. Б. Рыбаков и др. // Перспективные материалы. Материалы квантовой электроники и фотоники. - 2004. - № 4. - С. 17—30.
16. Бузанов, О. А. Приэлектродные процессы в кристаллах лантан-галлиевого танталата / О. А. Бузанов, Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, Т. Б. Сагалова // Кристаллография. - 2008. - Т. 53, № 5. - С. 242—246.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад