Журналы →  Materialy Elektronnoi Tekhniki →  2010 →  №4

Materialy Elektronnoi Tekhniki



Materials science and technology. Semiconductors
Название The peculiarities of internal getter formation in nitrogen doped dislocation free silicon wafers
Авторы М. V. Mezhennyi, М. G. Milvidskii, V. Ya. Resnick
Информация об авторах M. V. Mezhennyi, M. G. Milvidskii, OAO «Giredmet»; V. Ya. Resnick, Insitute for Chemical Problems of Microelectronics
Название Use of silicon tetrachloride hydrogenation techniques in polycrystalline silicon production
Авторы V. M. Ivanov, Yu. V. Trubitsin
Информация об авторах V. M. Ivanov and Yu. V. Trubitsin, Classical Private University, Ukraine
Materials science and technology. Dielectrics
Название Technological form single crystals growth from aqueous solution for nonlinear optic devices
Автор O. G. Portnov
Информация об авторе O. G. Portnov, National Research University «MISiS»
Materials science and technology. Magnetic materials
Название Effect of microstructure on properties of radio-absorbing nickel-zinc ferrites
Авторы V. G. Kostishin, R. M. Vergazov, V. G. Andreev, S. B. Bibikov, S. V. Podgornaya, A. T. Morchenko
Информация об авторах V. G. Kostishin, National Research University «MISiS»; R. M. Vergazov, V. G. Andreev, The Kuznetsk Institute of information and control technology (branch of Penza state university); S. B. Bibikov, Institute of Biochemical Physics of RAS; S. V. Podgornaya, A. T. Morchenko, National Research University «MISiS».
Modeling of processes and materials
Название Thermal optimization of silicon single crystal growth on «Redmet-90M» puller
Авторы N. A. Verezub, A. I. Prostomolotov
Информация об авторах N. A. Verezub, A. I. Prostomolotov, A. Ishlinsky Institute for Problems in Mechanics of RAS
Название Theoretical calculation of vibrational and rotational modes in organic semiconductors based on metal-free phthalocyanine molecules
Авторы I. A. Belogorokhov, E. V. Tikhonov, A. A. Dobrovolskii, A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, D. E. Dolzhenko, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov
Информация об авторах I. A. Belogorokhov, OAO «Giredmet», E. V. Tikhonov, A. A. Dobrovolskii, A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, D. E. Dolzhenko, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, M .V .Lomonosov Moscow State University.
Nanomaterials and nanotechnology
Название Phase composition study of nanocomposite SiO2CuOx, materials by x-ray absorption spectroscopy and photoelectron spectroscopy methods
Авторы G. E. Yalovega, V. A. Shmatko, T. N. Nazarova, V. V. Petrov, O. V. Zabluda
Информация об авторах G. E. Yalovega, V. A. Shmatko, T. N. Nazarova, V. V. Petrov , O. V. Zabluda, Southern Federal University
Название Hydrogen sorption by carbon nanomaterials
Авторы A. V. Timonina, D. N. Borisenko, V. V. Kveder, N. N. Kolesnikov, S. K. Brantov
Информация об авторах A. V. Timonina, D. N. Borisenko, V. V. Kveder, N. N. Kolesnikov, S. K. Brantov, ISSP Rus. Acad. Sci.
Epitaxial layers and multilayered compositions
Название Effect of molecular beam epitaxy conditions on the structure and properties of silicon on sapphire layers
Авторы D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, E. V. Korotkov, N. O. Krivulin, A. V. Nezhdanov, S. M. Plankina, E. A. Pitirimova, M. V. Romashova
Информация об авторах D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, E. V. Korotkov, N. O. Krivulin, A. V. Nezhdanov, S. M. Plankina, E. A. Pitirimova, M. V. Romashova, University of Nizhniy Novgorod
Atomic structures and methods of structural investigations
Название Effect of thermal neutron irradiation on the decomposition of oxygen solid solution in silicon
Авторы K. N. Enisherlova, V. T. Bublik, K. D. Scherbachev, M. I. Voronova, E.M. Temper
Информация об авторах K. N. Enisherlova, National Research University «MISiS»; V. T. Bublik, K. D. Scherbachev, M. I. Voronova, FGUP NPP Pulsar; E.M. Temper, National Research University «MISiS»
Название Study of the structural evolution of Si damaged layer after implantation with 64Zn+ ions and subsequent annealing
Авторы K. D. Shcherbachev, V. V. Privezentsev, V. V. Saraikin, D. A. Podgornyy
Информация об авторах K. D. Shcherbachev, National Research University «MISiS»; V. V. Privezentsev, Institute of Physics & Technology, Russian Academy of Sciences; V. V. Saraikin, Research Institute of Physical Problems; D. A. Podgornyy, National Research University «MISiS».
Other questions
Название The program complex for analysis and calculation of grown-in microdefects formation in dislocation-free silicon single crystals
Авторы V. I. Talanin, I. E. Talanin, N. Ph. Ustimenko
Информация об авторах V. I. Talanin, I. E. Talanin, N. Ph. Ustimenko, Classic Private University, Ukraine
Журналы →  Materialy Elektronnoi Tekhniki →  2010 →  №4